本设备采用溅射的工艺方法,在较低的温度下制备各种金属和非金属薄膜。
》极限真空:优于3X10^-4Pa(溅射室空载)
》漏率:小于0.4Pa.L/s
》溅射室内腔尺寸:Ф500~Ф1100mm可选
》真空系统配置:分子泵系统/低温泵系统/扩散泵系统溅射靶:可配置中频孪生对靶/Ф100mm间冷小多弧靶(气动引弧)/直流磁控靶/射频靶
离子清洗:可配置阳极层等离子体离子源
溅射电源:可配置中频磁控溅射电源/直流磁控溅射电源/脉冲偏压电源/多弧离子镀电源/13.56MHZ射频源工件形式以及驱动装置:公、自转二维平面行星机构,采用底部驱动方式，驱动引入采用带水冷套磁流体密封，可加1000V负偏压。

控制系统:人机界面+PLC编程控制,一键式全自动操作程序，锁定功能防止误操作。