·RF-PCVD技术可用于SiN、SiO,、a-Si:H、类金刚石(DLC)薄膜以及金刚石薄膜的沉积。RF-PCVD技术沉积的氮化硅膜、氧化硅膜、

非晶硅膜在电子工业中主要应用于半导体的集成电路中作钝化膜。非晶硅还可应用制作太阳能光电池。由于RF-PCVD可大面积地

以较低成本制作a-Si:H膜，而制备的 a-Si:H膜又具有极好的光导性能，有很高的可见光吸收系数，因而它是太阳能电池等多种重要

的光器件的适宜膜层。

·RF-PCVD方法具有沉积温度低、膜层质量好、适于在介质基片上沉积等优点，是目前最常用的DLC膜沉积方法之一。它通过射频

辉光放电分解碳氢气体，再沉积到基体上形成DLC膜。在低功率密度和低真空下，不足以使全部C--H键打开，因此，得到由不饱和

碳氢组分组合成的聚合物膜:当RF输人密度提高或气压降低时(到一最优值)将获得DLC膜。·当充入不同的工艺气体和特殊的气体

分配器，可作为反应刻蚀机。RIE系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数，例如压力，气体流量和RF功率。